9月9日消息，据外媒Tom's hardware报道，英特尔首席财务官David Zinsner在花旗 2025 年全球 TMT 大会上表示,下一代的Intel 14A（1.4nm级）制程技术将是英特尔为代工客户从头开始设计第一个尖端制造工艺，因为其将使用ASML最新的0.55NA（数值孔径）的High NA EUV光刻机Twinscan EXE：5200B。

“14A 将比 18A 更贵，”David Zinsner坦言：“虽然就晶圆厂投资而言，14A并没有明显更贵。但这肯定会带来更高的晶圆制造成本，部分原因是我们期望在 14A 中使用High NA EUV 工具，而 18A 中并非如此。”

英特尔预计，与 20A 相比，其 14A 制造工艺的每瓦性能将提高 15% – 20%，功耗可降低 25% – 18%。14A还将采用第二代 RibbonFET 晶体管架构（一种升级的栅极全方位晶体管结构）和全新的背面供电技术 PowerDirect（一种将电源线直接连接到晶体管源极和漏极的背面供电网络）。

Intel 14A 还有一项关键创新是 Turbo Cells，它通过在密集的标准单元库中使用高驱动、双高单元优化关键时序路径来增强 CPU 和 GPU 频率，从而在不影响面积或功耗的情况下提高性能。然而，为了实现 14A 生产，英特尔需要使用High NA EUV 光刻系统，这些系统可提供更好的分辨率，因此不需要依赖多图案化。

ASML称其High NA EUV 系统在单次曝光中实现了 8nm 分辨率，与当前 Low-NA EUV 工具的 13.5nm 分辨率相比有着很大的提升。尽管 Low-NA EUV 系统也可以使用双图案化（双重曝光）达到 8nm分辨率，但这种方法会增加工艺复杂度并影响良率。然而，High NA EUV将曝光场减少了50%，需要芯片制造商调整其设计策略。此外，High NA EUV比现有的EUV光刻机更昂贵。

ASML 当前一代 Low-NA EUV Twinscan NXE：3800E 每台成本约为 2.35 亿美元，而High NA EUV Twinscan EXE：5200B（或更高级）工具预计每台成本为 3.8 亿美元。由于该技术带来的高成本和独特挑战，各家晶圆厂对于何时采用High NA EUV的规划各不相同：英特尔正在推动几年后利用High NA EUV量产14A，而台积电则采取更谨慎的态度，其A16制程仍将采用Low-NA EUV。

旨在生产采尖端制程工艺芯片的晶圆厂目前的建设成本从 200 亿美元到 300 亿美元不等，具体取决于产能配置，因此以 15.2 亿美元的价格增加四个 High-NA EUV工具几乎不会显着增加晶圆厂成本。同时，14A 研发成本高达数十亿美元。因此，一旦所有额外成本都加上，它们确实会使 14A 工艺技术比 18A 更昂贵，这就是为什么英特尔代工需要外部客户来证明额外成本的合理性。

“我认为英特尔首席执行官陈立武（ Lip-Bu Tan）所说的是，如果我们没有在外部获得 14A 客户，将很难证明该节点的合理性，”David Zinsner说。“所以，是的，英特尔产品将成为 14A 的大客户，事实确实如此，我们需要确保它达到我们可以为股东带来合理投资回报率的水平。”

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